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*概述* 光刻胶是一种通过光化学反应实现图形转移的功能性材料，广泛应用于半导体制造、显示面板和微机电系统（MEMS）等领域。其核心功能是将掩膜版上的微细图形转移到基片表面，分辨率可达纳米级。——配方还原13458673265。*原料与成分*树脂（基体材料）正胶：酚醛树脂或聚羟基（PHOST），占比50%-80%，决定机械性能和化学稳定性。负胶：环化橡胶（如聚）或环氧树脂，曝光后形成交联结构。光敏化合物（PAC）正胶：重氮萘醌（DNQ），光照后生成羧酸，增强溶解性。负胶：双叠氮化物（如2,6-双叠氮苄叉-4-甲基），引发交联反应。溶剂丙二醇酯（PGMEA，占60%-90%）、等，确保均匀涂布。添加剂增粘剂（偶联剂）、抗反射染料（如苯并三唑）、表面活性剂等，优化性能。*典型配方*正胶：酚醛树脂60% + DNQ 20% + PGMEA 20%高分辨率，适合亚微米制程负胶：环化橡胶50% + 双叠氮交联剂5% + 45%抗蚀性强，适用于厚胶工艺*工作原理*正胶：曝光区DNQ发生Wolff重排反应，生成羧酸，溶于碱性显影液，未曝光区保留。负胶：曝光区光敏剂产生自由基或酸，引发树脂交联固化，未曝光区被溶解。*核心作用*图形转移：将掩膜版图案复制到硅片，最小线宽可达3nm（EUV光刻胶）。抗蚀保护：在刻蚀或离子注入中保护特定区域。工艺标尺：分辨率直接决定芯片制程精度。*技术进展*EUV光刻胶：清华大学开发的聚碲氧烷胶，融合高吸收元素碲（Te）和主链断裂机制，灵敏度提升50%。 |